[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180013014.1 | 申请日： | 2011-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102782822A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;乡户宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 所公开的半导体装置，包括：绝缘层；嵌入在绝缘层中的源电极和漏电极；接触于绝缘层、源电极和漏电极的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极。接触于氧化物半导体层的绝缘层的上表面的均方根（RMS）粗糙度是1nm以下。绝缘层的上表面与源电极的上表面有高度差，以及绝缘层的上表面与漏电极的上表面有高度差。优选高度差为5nm以上。本结构有助于抑制半导体装置的缺陷且实现其微型化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：绝缘层；嵌入在所述绝缘层中的源电极及漏电极；在所述绝缘层、所述源电极和所述漏电极上且与其接触的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极，其中，所述绝缘层的上表面与所述源电极的上表面有高度差，以及所述绝缘层的上表面与所述漏电极的上表面有高度差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
