[发明专利]排气处理系统无效
| 申请号： | 201180013643.4 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102791356A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 大内太;冈部隆志;朝野刚 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石能源株式会社 |
| 主分类号： | B01D53/22 | 分类号： | B01D53/22;C01B3/00;C01B33/04;C23C16/44;F23J15/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 排气处理系统(100)对从半导体制造装置(1)排出的至少含有氢和单硅烷的混合气体进行处理。该排气处理系统(100)包括：泵部(2)，其将从半导体制造装置排出的混合气体排出；压缩机(11)，其将经泵部(2)排出的混合气体压缩后送到后级；气体收容部(3)，其收集被压缩的混合气体而进行收容；流量控制部(4)，其对从气体收容部(3)供给的混合气体的流量进行控制；以及膜分离部(6)，其选择性地透过氢且从混合气体中分离单硅烷和氢。由此，可以缓解从半导体制造装置(1)排出的混合气体的压力变动，稳定地运转排气处理系统。 | ||
| 搜索关键词： | 排气 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种对从半导体制造装置排出的至少含有氢和单硅烷的混合气体进行处理的排气处理系统，其特征在于，包括：泵，其将从半导体制造装置排出的混合气体排出；压缩机，其将由所述泵排气的混合气体压缩后送到后级；气体收容部，其收集被压缩的混合气体并收容；流量控制部，其对从所述气体收容部供给的混合气体的流量进行控制；以及膜分离部，其选择性地透过氢且从混合气体中分离单硅烷和氢。
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