[发明专利]电子材料的清洗方法和清洗系统有效
| 申请号： | 201180013890.4 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102844845A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 山川晴义;床嶋裕人 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/08;B08B3/10;G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电子材料清洗系统具备试剂清洗设备(1)、湿式清洗设备(2)和单片式清洗装置(3)。试剂清洗设备(1)具有功能性试剂蓄存槽(6)和介由浓硫酸电解管道(7)与该功能性试剂蓄存槽(6)连接的电解反应装置(8)。该功能性试剂蓄存槽(6)介由功能性试剂供给管道(10)可将功能性试剂(W1)供给于单片式清洗装置(3)。湿式清洗设备(2)具备纯水的供给管道(21)、与氮气源连通的氮气供给管道(22)、以及这些纯水供给管道(21)和氮气供给管道(22)分别连接于其上的内部混合型二流体喷嘴(23)。从二流体喷嘴(23)的前端可喷射由氮气和超纯水形成的液滴(W2)。根据所述电子材料清洗系统，可以缩短电子材料的抗蚀剂的剥离处理所需的时间，进而通过抗蚀剂剥离后的湿式清洗，可以在短时间内确实地除去抗蚀剂残渣。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 清洗 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种电子材料的清洗方法，其特征在于，具有：试剂清洗工序，该试剂清洗工序使电解硫酸所得到的功能性试剂接触电子材料；和湿式清洗工序，该湿式清洗工序使由气体和液体形成的液滴的射流接触所述电子材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
