[发明专利]具有穿透衬底互连的微电子装置及相关制造方法有效
| 申请号： | 201180014446.4 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102804370B | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 凯尔·K·柯比;库纳尔·R·帕雷克;萨拉·A·尼鲁曼德 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/045;H01L23/055 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文揭示具有穿透衬底互连的微电子装置和相关制造方法。在一个实施例中，半导体装置包括携载第一金属化层和第二金属化层的半导体衬底。所述第二金属化层与所述半导体衬底间隔开，其中所述第一金属化层位于其间。所述半导体装置还包括至少部分延伸穿透所述半导体衬底的导电互连。所述第一金属化层经由所述第二金属化层与所述导电互连电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿透 衬底 互连 微电子 装置 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包含：半导体衬底；第一金属化层和第二金属化层，所述第二金属化层与所述半导体衬底间隔开，其中所述第一金属化层位于其间；和导电互连，其至少部分延伸穿透所述半导体衬底，其中所述第二金属化层包括对应于所述导电互连的第一部分以及从所述第一部分横向延伸的第二部分，且其中所述导电互连包括第一端及与所述第一端相对的第二端，且其中所述导电互连的所述第一端包括横向延伸到所述第二金属化层的所述第一部分的横向部分，且其中所述导电互连的所述第一端电耦合到所述第二金属化层的所述第一部分且与所述第二金属化层的所述第一部分直接接触；且其中所述第一金属化层经由所述第二金属化层与所述导电互连电接触。
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