[发明专利]等离子处理装置有效
申请号: | 201180015135.X | 申请日: | 2011-03-10 |
公开(公告)号: | CN102884223A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 川崎真一;野上光秀;中野良宪;佐藤崇 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种在反应气体的反应成分容易凝结的情况下也能够防止其在喷嘴的内部凝结且能够避免短路等不良情况的等离子处理装置。在等离子处理装置(1)的一对电极(11、12)之间形成放电空间(13),向被处理物(9)照射等离子。喷嘴(20)配置在一对电极(11、12)的至少一方或放电空间(13)的附近。从喷嘴(20)向被处理物(9)喷出含有凝结性的反应成分的反应气体。通过喷嘴温度调节机构(30)对喷嘴(20)的温度进行调节。在喷嘴(20)内形成温度调节路(32)作为温度调节机构(30),并使温度调节液流动。通过液温调节部(31)以成为比反应成分的凝结温度高的高温的方式对温度调节液进行调节。 | ||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子处理装置,使含有凝结性的反应成分的反应气体与被处理物接触并且照射等离子,所述等离子处理装置的特征在于,具备:一对电极,在所述一对电极相互之间形成用于所述等离子照射的接近大气压的放电空间;喷嘴,该喷嘴的具有喷出口的前端部由绝缘体构成,且所述前端部配置在所述一对电极的至少一方或所述放电空间的附近,使所述反应气体从所述喷出口喷向所述被处理物;喷嘴温度调节机构,其调节所述喷嘴的温度,所述喷嘴温度调节机构包括:温度调节路径,其形成在所述喷嘴上而供温度调节液通过;液温调节部,其以从所述电极及所述喷嘴分离的方式配置,且将所述温度调节液的温度调节成比所述反应气体中的反应成分的凝结温度高的高温;管路,其将所述液温调节部和所述温度调节路径连结。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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