[发明专利]单晶3C-SiC基板的制造方法以及通过该方法获得的单晶3C-SiC基板有效
| 申请号： | 201180015386.8 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102822395A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 浅村英俊;川村启介;小原智 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶3C-SiC基板的制造方法，能够大幅度减少在外延生长过程中所产生的表面缺陷，且能够在简化后工序的同时，确保作为半导体器件的质量。本方法是通过在基础基板上外延生长形成单晶3C-SiC层的单晶3C-SiC基板的制造方法，进行第一生长阶段和第二生长阶段，在该第一生长阶段中，以成为由平坦性较高的表面和散布在该表面中的表面微孔构成的表面状态的方式来形成所述单晶3C-SiC层，在该第二生长阶段中，在脱离速率控制的区域中以掩埋表面的所述表面微孔的方式使在所述第一生长阶段中所获得的单晶3C-SiC层进一步外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 以及 通过 获得 基板 | ||
【主权项】：
一种单晶3C‑SiC基板的制造方法，通过在基础基板上外延生长形成单晶3C‑SiC层，其特征在于，进行第一生长阶段和第二生长阶段，在该第一生长阶段中，以成为由平坦性较高的表面和散布在该表面中的表面微孔构成的表面状态的方式来形成所述单晶3C‑SiC层，在该第二生长阶段中，以掩埋所述表面微孔的方式使在所述第一生长阶段中所获得的单晶3C‑SiC层进一步外延生长。
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