[发明专利]半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法有效
| 申请号： | 201180015793.9 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102822115B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;胜田祐司;早濑徹;神藤明日美 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人： | 徐申民,李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 首先，将Yb2O3原料粉末通过200kgf/cm2的压力单轴加压成形，制作厚10mm左右的圆盘状成形体，装入烧成用石墨铸模。接着，使用热压法在规定的烧成温度（1500℃）进行烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。烧成时的冲压压力为200kgf/cm2、烧成终结为止为Ar气氛。烧成温度（最高温度）下的保持时间为4小时。这样，得到开孔率0.2%的Yb2O3烧结体构成的半导体制造装置用耐腐蚀性构件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 腐蚀性 构件 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造装置用耐腐蚀性构件，其开孔率在0.3％以下，由含有选自氧化钬以及氧化铒构成的群的至少1种的烧结体构成，所述烧结体中，分散有包含了选自Mg、Ca以及Sr构成的群的至少1种和O以及F中的至少1种的晶界相。
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