[发明专利]配线构造、显示装置和半导体装置

摘要

本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。

主权项

一种配线构造，是在基板之上从基板侧起按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层和所述Cu合金层之间，含有从基板侧起顺序为(N、C、F、O)层和Cu‑Si扩散层的层叠结构，其中，所述(N、C、F、O)层含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素，所述Cu‑Si扩散层含有Cu和Si，并且，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧的任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是从基板侧起按顺序含有如下层的层叠结构：第一层，其是含有从Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn所构成的群中选择的至少一种合金成分X的Cu‑X合金层；第二层，其是由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即比所述第一层的电阻率低的Cu合金构成的层。