[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置有效
| 申请号： | 201180016253.2 | 申请日： | 2011-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102822892A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 神边哲也;桥本笃志;福岛隆之 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/02;G11B5/64;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种热辅助磁记录介质，在具有：基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。该热辅助记录介质，具有磁性粒径微细，磁性粒子间的交换耦合充分低，并且矫顽力分散低的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种热辅助磁记录介质，其特征在于，在具有基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。
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