[发明专利]使用纯化过的氟制造电子器件的方法有效
| 申请号： | 201180016775.2 | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102821825A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·萨默;奥利维耶罗·黛安娜;约翰内斯·艾歇尔;埃尔詹·因韦伦;斯特凡·姆罗斯;霍尔格·珀尼斯;彼得·M·普雷迪坎特;托马斯·施瓦策;赖纳·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 索尔维公司 |
| 主分类号： | B01D53/00 | 分类号： | B01D53/00;B01D53/68;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 元素氟作为蚀刻剂用于制造如半导体器件、微机电装置、薄膜晶体管、平板显示器以及太阳能电池板的电子器件，并且用作主要用于PECVD装置的室清洁剂。为了这个目的，氟经常在现场进行生产。本发明提供了用于制造电子器件的一种方法，其中氟是在现场生产的并且通过低温处理从HF中纯化。在1.5和20Bara之间的压力是尤其有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纯化 制造 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造电子器件的方法，包括至少在现场电解地制造元素氟的步骤以及至少一个选自下组的步骤，该组为：使用元素氟作为蚀刻剂在室中蚀刻物品以及使用元素氟作为室清洁剂来清洁室的步骤，其中在其制造之后、并且在其用于进行蚀刻或室清洁的施用之前使该元素氟在高于环境压力的压力下经受低温处理以除去至少一部分的夹带的氟化氢。
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