[发明专利]II-VI族化合物半导体多晶的合成方法有效
| 申请号： | 201180016917.5 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102859051A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 朝日聪明;野田朗 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C01B19/04;C22C1/02;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其中，即使不使用石英安瓿作为多晶合成中使用的容器，也可以进行合成，由此在不降低收率的情况下，可以实现容器的大型化，实现成本降低。其中，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器(6a)内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器(6b)中，并配置在具有加热机构(7)的高压炉(1)内，对高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用加热机构加热外侧容器和内侧容器使其升温，使内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | ii vi 化合物 半导体 多晶 合成 方法 | ||
【主权项】：
II‑VI族化合物半导体多晶的合成方法，其特征在于，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器中，并配置在具有加热机构的高压炉内，对所述高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用所述加热机构加热所述外侧容器和内侧容器使其升温，使所述内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。
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