[发明专利]Cu-Co-Si 合金材料有效

专利信息
申请号: 201180017021.9 申请日: 2011-03-25
公开(公告)号: CN102812139A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 冈藤康弘 申请(专利权)人: JX日矿日石金属株式会社
主分类号: C22C9/06 分类号: C22C9/06;C22F1/08;H01B1/02;C22F1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蔡晓菡;孟慧岚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明通过含有1.5~2.5wt%的Co、0.3~0.7wt%的Si,Co/Si的元素比为3.5~5.0,含有直径为0.20μm以上且不足1.00μm的第2相粒子3,000~150,000个/mm2,晶体粒径10μm以下,导电率60%IACS以上且具有良好的弯曲加工性的Cu-Co-Si合金材料,从而达成弯曲加工性优异且可高导电化的适合于可动连接器等电子电气设备用材料的铜合金材料。上述合金材料含有直径为1.00~5.00μm的第2相粒子10~1,000个/mm2,0.2%屈服强度可以为600Mpa以上,可以在下述条件下制造:在铸造后、固溶处理前进行的高温加热的温度为比下述固溶处理温度高45℃以上的温度,从热轧开始时温度到600℃的冷却速度为100℃/min以下;固溶处理温度在(50×Cowt%+775)℃以上且(50×Cowt%+825)℃以下的范围选择,固溶处理后的时效处理优选在450~650℃下进行1~20小时。
搜索关键词: cu co si 合金材料
【主权项】:
铜合金材料,其具有良好的弯曲加工性,包含1.5~2.5wt%的Co、0.3~0.7wt%的Si以及剩余部分包含Cu和不可避免的杂质,且Co/Si的元素比为3.5~5.0,并且含有直径为0.20μm以上且不足1.00μm的第2相粒子3,000~150,000个/mm2,导电率EC为60%IACS以上,晶体粒径为10μm以下。
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