[发明专利]制造半导体单晶的方法有效
| 申请号： | 201180017185.1 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102859050A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 樱田隆;川濑智博;羽木良明 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B27/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抑制了半导体单晶中的缺陷产生的制造半导体单晶的方法。该制造方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方形成原料熔融液(34)的步骤；以及从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体单晶的方法，所述方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液(33)接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方布置原料熔融液(34)的步骤；以及从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。
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