[发明专利]表面发光的半导体发光二极管

摘要

本发明关于一种表面发光的半导体发光二极管（LED）其特征在：在一基板（2）与一第一阻挡层（5）之间有第一种导电类型的反射层（4），第一接触层（9）至少有一发光的表面（13），经由此表面，由一活性层（6）发出的光束由LED出来，且该发光表面利用受电荷载体照射的表面有植入异物的区域（11）在第一接触层互相隔离成不导电及不透光，且这些层的位在该发光表面（13）下方的区域，从第一接触层（9）一直到至少穿过该活性层（6）过去为止。利用受电荷载体照射的第一深植入的区域（12.1）与这些层的不发光表面（13）下方的区域隔绝成不导电及不透光。

主权项

一种表面发光的半导体发光二极管LED，包含一上下迭置层序列，该层序列包含： 一第一导电类型的基板触点（1）层， 一共享基板（2）， 一该第一导电类型的第一阻挡层（5）， 一发光活性层（6）， 一第二导电类型的第二阻挡层（7）， 一该第二导电类型的第一接触层（9），该第一接触层（9）中设有多个由载荷子照射而彼此电性绝缘的表面植入区（11），及 多个用于接触该第一接触层（9）的导电表面触点（10）， 其特征在于： 该基板（2）由一半导体基板构成，该基板（2）具有一第一导电类型，或者该基板（2）为一电绝缘型基板（2.1），或者该基板（2）由一金属或一复合材料构成， 该基板（2）与该第一阻挡层（5）之间设有一该第一导电类型的反射层（4）， 该第一接触层（9）具有至少一发光表面（13），该活性层（6）所发射的辐射经该发光表面自该半导体发光二极管射出，该第一接触层（9）中受载荷子照射的表面植入区（11）使该等发光表面（13）彼此光电隔离，以及 多个受载荷子照射第一深植入区（12.1）使得该等层在该发光表面（13）下方自该第一接触层（9）出发至少延伸至贯穿该活性层（6）的区域与该等层不位于该发光表面（13）下方的区域光电隔离。