[发明专利]用于形成低湿度介电膜的方法

摘要

本发明关于一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层或金属间介电(IMD)层的方法，所述方法包括下列步骤：将基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中，并在所述化学气相沉积处理腔室中，于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第一氧化物层。所述方法亦包括下列步骤：在CVD腔室中，于第一氧化物层上形成第二氧化物层。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第二氧化物层。在形成第一氧化物层及第二氧化物层期间，基板仍保持于CVD处理腔室中。

主权项

一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层及金属层的方法，所述方法包含下列步骤：将所述基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中；在所述CVD处理腔室中，于所述基板上形成第一氧化物层，使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第一氧化物层，所述热CVD处理使用包含臭氧及四乙基正硅酸盐(TEOS)的第一处理气体；在所述CVD处理腔室中，于所述第一氧化物层上形成第二氧化物层，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第二氧化物层，所述PECVD处理使用包含氧及TEOS的第二处理气体，其中在形成所述第一氧化物层及所述第二氧化物层期间，所述基板仍保持于所述CVD处理腔室中；自所述CVD处理腔室移除所述基板；在阻挡沉积腔室中，于所述第二氧化物层上形成阻挡层；以及在金属沉积腔室中，于所述阻挡层上形成所述金属层。