[发明专利]半导体芯片接合用粘接材料、半导体芯片接合用粘接膜、半导体装置的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201180018592.4 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102834907A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 竹田幸平;石泽英亮;金千鹤;畠井宗宏;西村善雄;冈山久敏 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C09J7/02;C09J163/00;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供可控制圆角形状不成为凸状且可制造可靠性高的半导体装置的半导体芯片接合用粘接材料。本发明为一种半导体芯片接合用粘接材料，其中，用粘弹性测定装置测得的25℃剪切弹性模量Gr为1×106Pa以上，用流变仪测得的直到软纤料熔点为止的最低复数粘度η*min为5×101Pa·s以下，在140℃的温度、1rad的变形量、1Hz的频率下测得的复数粘度η*(1Hz)是在140℃的温度、1rad的变形量、10Hz的频率下测得的复数粘度η*(10Hz)的0.5～4.5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 接合 用粘接 材料 用粘接膜 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片接合用粘接材料，其特征在于，用粘弹性测定装置测得的25℃剪切弹性模量Gr为1×106Pa以上，用流变仪测得的直到软纤料熔点为止的最低复数粘度η*min为5×101Pa·s以下，在140℃的温度、1rad的变形量、1Hz的频率下测得的复数粘度η*(1Hz)是在140℃的温度、1rad的变形量、10Hz的频率下测得的复数粘度η*(10Hz)的0.5～4.5倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
