[发明专利]晶体半导体材料的制备有效
| 申请号： | 201180019046.2 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103038004A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | U·克拉特;C·施密德;J·哈恩 | 申请（专利权）人： | 施米德硅晶片科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B22D27/04 | 分类号： | B22D27/04;C01B33/02;C30B15/00;C30B29/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造晶体半导体材料的方法，其中将半导体材料的颗粒和/或半导体材料的前体化合物供入到具有足够高温的气流中，以便将半导体材料的颗粒由固态转变为液态和/或气态和/或以便热分解前体化合物。在又一步骤中，液态半导体材料从气流中冷凝和/或分离出来并转变成固态，形成单晶或多晶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 半导体材料 制备 | ||
【主权项】：
制造晶体半导体材料特别是晶体硅的方法，包括以下步骤：·向气流中供送半导体材料的颗粒和/或半导体材料的前体化合物，其中，所述气流具有足够高的温度，以将半导体材料的颗粒由固态转变成液态和/或气态，和/或以将所述前体化合物热分解，·从所述气流中冷凝出和/或分离出液态半导体材料，·将液态半导体材料转变成固态，形成单晶或多晶晶体结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于施米德硅晶片科技有限责任公司，未经施米德硅晶片科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180019046.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：测量减速壳壁厚专用量具
- 下一篇：电磁继电器磁落差检测装置
