[发明专利]改良堆迭缺陷率的非晶碳沉积方法

摘要

本文所述的实施例关于用以图案化并蚀刻半导体衬底中的特征结构的材料及工艺。在一个实施例中，提供一种在衬底上形成复合非晶碳层以改良堆迭缺陷率的方法。所述方法包含下列步骤：将衬底安置于处理腔室中；将烃源气体导入处理腔室；将稀释剂源气体导入处理腔室；将等离子体引发气体导入处理腔室；在处理腔室中产生等离子体；在衬底上形成非晶碳初始层，其中烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：12或更低；以及在非晶碳初始层上形成主体非晶碳层，其中被用来形成主体非晶碳层的烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：6或更高，以形成复合非晶碳层。

主权项

一种在衬底上形成复合非晶碳层以改良堆迭缺陷率的方法，包括下列步骤：将烃源气体导入含有衬底的处理腔室；将稀释剂源气体导入所述处理腔室；将等离子体引发气体导入所述处理腔室；在所述处理腔室中产生等离子体；在所述衬底上形成非晶碳初始层，其中所述烃源气体的体积流速对所述稀释剂源气体的体积流速的比例为1：12或更低；以及在所述非晶碳初始层上形成主体非晶碳层，其中用来形成所述主体非晶碳层的烃源气体的体积流速对稀释剂源气体的体积流速的比例为1：6或更高，以形成所述复合非晶碳层。