[发明专利]化合物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201180019633.1 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102859725A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 谷本佳美;园田孝德;池田英明 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在半导体层与基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行一次退火的步骤与进行二次退火的步骤之间，将导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在所述半导体层的与所述基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对所述导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对所述导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行所述一次退火的步骤与进行所述二次退火的步骤之间，将所述导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180019633.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
