[发明专利]有机卤代硅烷的制备无效
| 申请号： | 201180019825.2 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102858785A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 阿斯维尼·K·达什;查尔斯·艾伦·霍尔;D·卡佐利斯;罗伯特·托马斯·拉森;马修·J·麦克劳克林;J·D·瓦恩兰 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C07F7/12 | 分类号： | C07F7/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 武晶晶;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备有机卤代硅烷的工艺，该工艺包括在从200至800℃的温度下，在有效地使卤代硅烷的卤素基团中的一个或多个能够被来自有机卤化物的R基团取代的足够量的催化剂的存在下，使氢、具有式HaSiX4-a(I)的卤代硅烷和具有式RX(II)的有机卤化物结合以形成有机卤代硅烷和卤化氢，其中R是C1-C10烷基或C4-C10环烷基，每个X独立地是卤素，且下标a是0、1或2，其中氢与卤代硅烷的体积比率是从1∶3至1∶0.001，且氢与有机卤化物的体积比率是从1∶1至1∶0.001，且其中在结合之前任选地将催化剂用氢或卤代硅烷处理。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 硅烷 制备 | ||
【主权项】：
一种制备有机卤代硅烷的工艺，所述工艺包括：在从200至800℃的温度下，在足以有效地使具有式HaSiX4‑a(I)的卤代硅烷的卤素基团中的一个或多个能够被来自具有式RX(II)的有机卤化物的R基团取代的量的催化剂的存在下，使氢、所述卤代硅烷和所述有机卤化物结合，以形成有机卤代硅烷和卤化氢，其中R是C1‑C10烷基或C4‑C10环烷基，每个X独立地是卤素，且下标a是0、1或2，其中氢与卤代硅烷的体积比率是从1∶3至1∶0.001，且氢与有机卤化物的体积比率是从1∶10至1∶0.001，且其中在所述结合之前任选地将所述催化剂用所述氢或所述卤代硅烷处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于道康宁公司，未经道康宁公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180019825.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
