[发明专利]碳化硅薄膜的成膜方法有效
| 申请号： | 201180019967.9 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103038387A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 菅原卓哉;青岛光;姜友松;盐野一郎;长江亦周 | 申请（专利权）人： | 新柯隆株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法能够以短时间、且安全地提供透过率和膜强度高、可用于光学用途的碳化硅薄膜，并且即使对于耐热性低的基板也能够有效地形成该薄膜。本发明的方法使用成膜装置(1)在移动中的基板(S)上形成碳化硅的薄膜，该成膜装置(1)构成为在真空容器(11)内将反应工序区域(60)和成膜工序区域(20、40)各自在空间上分离配置，并能够独立地控制各区域(20、40、60)的处理。首先，在惰性气体的气体氛围下，在区域(20)对硅靶材(29a、29b)进行溅射，并且在区域40对碳靶材(49a、49b)进行溅射。由此，在基板(S)上形成含有硅和碳的中间薄膜。接着，在区域(60)使中间薄膜暴露在惰性气体和氢的混合气体的气体氛围下产生的等离子中，使该中间薄膜变换为超薄膜。此后，对超薄膜反复进行中间薄膜的形成和向超薄膜的膜变换。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，在真空状态下独立地控制对靶材的溅射和等离子中的暴露，同时在移动中的基板上形成碳化硅的薄膜，该成膜方法的特征在于，在惰性气体的气体氛围下，分别对材质不同的多个靶材进行溅射，在基板上形成含有硅和碳的中间薄膜，然后将所述中间薄膜暴露于等离子中，使该中间薄膜变换为超薄膜，之后，对于该超薄膜反复进行所述中间薄膜的形成和向所述超薄膜的膜变换，其中所述等离子是在惰性气体和氢的混合气体的气体氛围下产生的。
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