[发明专利]具有低噪声系数和电压可变增益的功率放大器有效
| 申请号： | 201180020120.2 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102859867A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | P·鲁;Y·贝延斯;M·戈恩 | 申请（专利权）人： | 阿尔卡特朗讯 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22;H03F3/195;H03G1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;黄倩 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有可变增益的低噪声系数放大器，该放大器包括共源共基放大级，共源共基放大级包括串联连接的以下部件：被安装为公共源极的低电压MOSFET晶体管，以及之后的被安装为公共基极的具有高击穿电压的双极型晶体管。电阻器置于双极型晶体管的集电极和共源共基级的MOSFET晶体管的栅极之间，并且共源共基级通过扼流圈来供电。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 噪声系数 电压 可变 增益 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种具有低噪声系数和可变增益的集成放大器，包括共源共基放大级，所述共源共基放大级包括串联连接的：‑低电压MOSFET晶体管，被安装为公共源极，其后是：‑双极型晶体管，具有为所述MOSFET晶体管的电压的至少两倍的高击穿电压，所述双极型晶体管被安装为公共基极，‑电阻器，置于所述双极型晶体管的集电极与所述共源共基级的MOSFET晶体管的栅极之间，并且‑所述共源共基级通过扼流圈来供电。
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