[发明专利]具有倾斜边缘的晶片载体有效
申请号: | 201180020892.6 | 申请日: | 2011-03-01 |
公开(公告)号: | CN102859679A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | B·米特洛维奇;J·曼根;W·E·奎因 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205;C23C16/458 |
代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 段淑华;刘曾剑 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种晶片载体(140),包括主体,主体限定中心轴(142)、垂直于中心轴(142)且基本为平面的顶面(141),低于顶面(141)凹陷以容纳晶片(50)的容纳部(143)。晶片载体(140)的主体可包括沿顶面(141)外周向上突出的唇部(180)。唇部(180)可限定从平顶面(141)向外,远离中心轴(142)以径向向外的方向倾斜的唇表面(181)。晶片载体(140)的主体可适于安装在处理装置(10)的转轴(30)上,使得主体的中心轴(142)与转轴(30)同轴。唇部(180)可改善晶片载体(140)的顶面(141)上方气体的流动模式。 | ||
搜索关键词: | 具有 倾斜 边缘 晶片 载体 | ||
【主权项】:
晶片载体,包括主体,所述主体限定中心轴、垂直于所述中心轴且基本为平面的顶面、低于所述顶面凹陷以容纳晶片的容纳部,所述主体包括沿所述顶面的外周向上突起的唇部,所述唇部限定唇表面,所述唇表面从所述平顶面以远离所述中心轴径向向外的方向向上倾斜,所述主体适于安装在处理装置的转轴上,使得所述主体的所述中心轴与所述转轴同轴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造