[发明专利]半导体故障解析装置及故障解析方法有效
申请号: | 201180021063.X | 申请日: | 2011-02-21 |
公开(公告)号: | CN102859675A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 竹嶋智亲 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N25/72;G06T1/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体故障解析装置(1A),其具备对半导体器件(S)施加偏压电压的电压施加部(14)、取得图像的摄像装置(18)、及进行图像处理的图像处理部(30)而构成,摄像装置(18)取得各自包含电压施加状态下的发热像的多个解析图像、及电压未施加状态下的多个背景图像。图像处理部(30)包括:摄像位置算出部(32),其算出解析图像及背景图像各自的摄像位置;图像分类部(33),其根据对摄像位置所准备的区域分割单位而将解析图像及背景图像分类为N个图像群;及差分图像生成部(34),其针对N个图像群个别地生成解析图像与背景图像的差分图像。由此,实现一种能抑制半导体器件的发热解析图像中的摄像位置偏移的影响的半导体故障解析装置及方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 故障 解析 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体故障解析装置,其特征在于,所述半导体故障解析装置是使用半导体器件的发热像而进行故障解析的半导体故障解析装置,且包括:电压施加单元,其对成为解析对象的半导体器件施加偏压电压;摄像单元,其取得上述半导体器件的图像;及图像处理单元,其对通过上述摄像单元所取得的图像进行上述半导体器件的故障解析所必要的图像处理;上述摄像单元取得分别包含在对上述半导体器件施加有上述偏压电压的状态下的发热像的多个解析图像、及在未施加上述偏压电压的状态下的多个背景图像,并且上述图像处理单元包括:摄像位置算出单元,其针对上述多个解析图像及上述多个背景图像的各个而算出其摄像位置;图像分类单元,其对于上述多个解析图像及上述多个背景图像各自中的上述摄像位置,准备参照上述摄像位置的位置频度分布而设定的区域分割单位,根据上述摄像位置属于按上述区域分割单位所分割的N个区域的哪个区域,而将上述多个解析图像及上述多个背景图像分类为N个图像群,其中,N为2以上的整数;及差分图像生成单元,其对经分类的上述N个图像群个别生成用于故障解析的上述解析图像与上述背景图像的差分图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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