[发明专利]Mo/Si多层的等离子体辅助沉积

摘要

本发明涉及用于极紫外光刻系统中所用反光镜的多层Mo/Si涂层，以及利用等离子体离子辅助沉积（PIAD）技术制备这种反光镜的方法。涂层沉积在适用于EUV光刻的基片上，是由40-100个Mo/Si周期组成的Mo/Si涂层，每个周期由一个Mo层上跟一个Si层组成。每个Mo层和Si层各自沉积至2-5nm范围内的规定的厚度或目标厚度，并且厚度变化控制在±0.1nm。在沉积涂层之前，利用来自等离子体源的等离子体对基片进行致密化处理和平滑处理，并且用等离子体使涂层的每个层变得致密和平滑。

主权项

一种利用等离子体离子辅助沉积在基片表面上沉积Mo/Si薄膜的方法，所述方法具有以下步骤：提供真空室，并在所述室内：提供要在其上沉积涂层的基片；提供Mo涂层材料源和Si涂层材料源，利用电子束依次使所述Mo材料和所述Si材料气化，提供涂层材料蒸气流，所述涂层材料蒸气流中的每种蒸气流从所述材料源通过反掩模，到达所述基片；从等离子体源提供等离子体离子；以选定的旋转频率f旋转所述基片；以及在所述基片上依次沉积一层所述Mo涂层材料和一层所述Si涂层材料，形成一个Mo/Si涂层周期，并且至少在沉积所述材料期间和之后，用等离子体离子轰击所述涂层中的每个涂层以及所述周期，使每层变得致密和平滑；以及多次重复所述沉积步骤，在所述基片上形成具有多个周期的Mo/Si涂层；其中在所述Mo和Si涂层材料源中的每个涂层材料源之间提供侧面防护罩，防止污染所述等离子体源，并且在沉积Mo层和Si层之前，用来自等离子体源的等离子体使基片表面变得致密和平滑。