[发明专利]氮化物半导体元件的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置有效
| 申请号： | 201180022108.5 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102884644A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 荒木正浩;内海孝昭;阪田昌彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体元件（100）的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置。该制造方法包括：在基板（1）上形成至少含有铝、氮、氧的AlNO缓冲层（2）的工序、以及在AlNO缓冲层（2）上形成氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）的工序，在形成AlNO缓冲层（2）的工序中，在连续导入氮气和氧气并排放气体的环境气氛中通过将铝作为靶材（26）的反应溅射法而形成AlNO缓冲层（2），环境气氛为所述氧气流量相对所述氮气流量与所述氧气流量的总和之比为0.5%以下的环境气氛。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，具有：在基板（1）上形成至少含有铝、氮、氧的AlNO缓冲层（2）的工序；在所述AlNO缓冲层（2）上形成氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）的工序；在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层（2）在连续导入氮气和氧气并排放气体的环境气氛中通过将铝作为靶材（26）的反应溅射法而形成；所述环境气氛为所述氧气流量相对所述氮气流量与所述氧气流量的总和之比为0.5%以下的环境气氛。
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