[发明专利]无机中介片上的贯通封装过孔（TPV）结构及其加工方法在审
| 申请号： | 201180022152.6 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102947931A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 文卡特斯赫·桑德拉姆;刘福翰;饶R·图马拉;维贾伊·苏库马兰;维伟卡·斯里德哈兰;陈乔 | 申请（专利权）人： | 佐治亚技术研究公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;常 春 |
| 地址： | 美国佐治亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大体涉及使用玻璃作为中介片材料，中介片的表面及/或贯通过孔的壁被一提供热膨胀和热收缩应力缓解以及更好的金属化能力的应力缓解壁垒覆盖。本发明公开了多种方法，其中，可使用一应力缓解壁垒来削弱因不同的CTE而产生的应力所造成的影响，同时，在一些应用中，其可作为金属化层与中介片之间的粘合促进层。该应力缓解壁垒起到吸收一些因不同的CTE而产生的应力的作用并且可促进导电金属层的更好的粘合，从而有助于在提高可靠性的同时为更加小型化的设计提供可能。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 中介 贯通 封装 tpv 结构 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子封装，其包括：在一具有一顶部的玻璃中介片中的复数个具有壁的贯通过孔；在该玻璃中介片的该顶部的至少一个部分上的一应力缓解壁垒；在该应力缓解壁垒的至少一部分上的一金属化种子层；以及在该金属化种子层的至少一部分上并且贯通该复数个贯通过孔中的至少一部分的一导体以形成复数个经金属化的贯通封装过孔，其中，这些贯通过孔中的至少一部分被该应力缓解壁垒或该金属化种子层填充。
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