[发明专利]衬底处理的方法和用于所述方法的处理组成物有效
| 申请号： | 201180022335.8 | 申请日： | 2011-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102893379A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 赫伯特·席勒 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/027;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高卤酸和硫酸的混合物在高温下出乎意料地稳定，并在剥离光致抗蚀剂中是有效的，其包括用较短的处理时间剥离难以处理的注入了离子的光致抗蚀剂。在使用中，在高达145℃的温度没有观察到混合物的分解。在该混合物中，硫酸是高度纯化的，并具有96wt％或更高的浓度。高卤酸优选为H5IO6。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 用于 组成 | ||
【主权项】：
一种处理衬底的方法，其包括：用硫酸和高卤酸的混合物与所述衬底接触15分钟或少于15分钟，所述混合物温度在110℃到145℃的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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