[发明专利]具有不连续的半导体部分的微电子装置及制作这种装置的方法

摘要

本发明涉及一种微电子装置（100），包括：多个相似的不连续的半导体部分（104），所述半导体部分彼此电隔离并且形成半导体层（102），所述半导体部分以恒定的距离隔开并且包括与其他部分平行的形状；以及两个电极（108a、108b、108c、108d），所述电极设置成与半导体层接触，使得分隔两个电极的最大距离小于一个半导体部分的最大尺寸，其中，设置半导体部分的形状和尺寸、半导体部分之间的间距、电极的形状和尺寸以及电极相对于半导体部分的布局，使得至少一个半导体部分将两个电极彼此电连接，并且其中，半导体部分的最大尺寸垂直于电极的最大尺寸，所述电极是相似的。

主权项

一种微电子装置（100），包括：多个不连续的半导体部分（104），具有相似的尺寸LSC、WSC以及相似的形状，所述半导体部分彼此电隔离并且形成半导体层（102），每个半导体部分（104）与相邻的半导体部分（104）的间距为基本上恒定的距离ESCH、ESCV并且具有细长形状，每个半导体部分的最大尺寸LSC与其他半导体部分（104）的最大尺寸LSC大致平行，至少两个电极（108a、108b、108c、108d），所述电极设置成与半导体层（102）接触，使得分隔所述两个电极（108a、108b、108c、108d）的最大距离L通道小于其中一个所述半导体部分（104）的最大尺寸LSC，其中，设置所述半导体部分（104）的形状和尺寸LSC、WSC，所述半导体部分（104）之间的间距ESCH、ESCV，所述电极（108a、108b、108c、108d）的形状和尺寸LSD、WSD以及所述电极（108a、108b、108c、108d）相对于所述半导体部分（104）的布局，使得至少一个所述半导体部分（104）将所述两个电极（108a、108b、108c、108d）彼此电连接，并且其中，所述半导体部分（104）的最大尺寸LSC大致垂直于所述电极（108a、108b、108c、108d）的最大尺寸WSD，所述电极（108a、108b、108c、108d）具有相似的形状和尺寸WSD、LSD。