[发明专利]掺杂的共轭聚合物和装置

摘要

本发明涉及组合物，其包含至少一种空穴传输材料（如共轭聚合物）以及至少一种掺杂物，其提供改善的热稳定性。组合物可以被涂覆于基材和用于HIL层和HTL层和有机电子装置（如发光装置，如OLED或OPV）中。所述共轭聚合物可以为聚噻吩，其包括3,4-取代的聚噻吩或区域规则性聚噻吩。所述掺杂物可以为银盐，例如四(五氟苯基)硼酸银。提供了改进了的制备掺杂物的方法。

主权项

1.一种组合物，其包含以下各者的反应产物：(i)至少一种共轭聚合物，其中所述共轭聚合物包含至少一种在3-位或4-位或这两个位置上含有烷氧基取代基的聚噻吩；和(ii)至少一种用于聚合物(i)的掺杂物，其包含离子化合物，其中所述离子化合物的阳离子是V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt或Au；并且所述离子化合物的阴离子由以下结构中的至少一个表示：其中，R₁至R₁₀中的每一个独立地为H、烷基、全氟烷基（C1-C10）、聚醚、F、Cl、Br、I、CN、任选地取代的苯基或任选地取代的萘基；"A"为硼、镓、磷、锑、SO3或CO2；X为F、Cl、Br、I或CN；n为0至6；并且m≤6-n；其中所述组合物还任选地包含与(i)不同的至少一种基质材料。