[发明专利]用于刷新半导体存储器装置的技术有效
| 申请号： | 201180022693.9 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102884578A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 约格什·卢特拉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C8/14;G11C11/401 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于刷新半导体存储器装置的技术。在一个特定示范性实施例中，可将所述技术实现为包含布置成行及列的阵列的多个存储器单元的半导体存储器装置。每一存储器单元可包含耦合到源极线的第一区及耦合到载流子注入线的第二区。每一存储器单元还可包含电容性地耦合到至少一个字线且安置于所述第一区与所述第二区之间的主体区及耦合到所述主体区的至少一部分的解耦电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刷新 半导体 存储器 装置 技术 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其包括：多个存储器单元，其布置成行及列的阵列，每一存储器单元包括：第一区，其耦合到源极线；第二区，其耦合到载流子注入线；主体区，其电容性地耦合到至少一个字线且安置于所述第一区与所述第二区之间；及解耦电阻器，其耦合到所述主体区的至少一部分。
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