[发明专利]半导体装置、有源矩阵基板以及显示装置有效
申请号: | 201180023044.0 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102884634A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 冈崎庄治;家根田刚士;中村涉;胜井宏充 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 半导体装置(18)具备:设于基板(101)上的栅极电极(102);半导体层(104),其设于栅极电极(102)的上方,包含源极区域、漏极区域以及沟道区域;源极电极(106),其在半导体层(104)的上方连接到源极区域;以及漏极电极(107),其在半导体层(104)的上方连接到漏极区域,半导体层(104)在与漏极电极(107)重叠的部分具有沿着从漏极电极(107)引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部,半导体层(104)在被漏极电极(107)和源极电极(106)夹着的沟道区域的外侧具有半导体层(104)的周缘位于比栅极电极(102)的周缘靠内侧的调整部。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 有源 矩阵 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具备:设于基板上的栅极电极;半导体层,其设于上述栅极电极的上方,包含源极区域、漏极区域以及沟道区域;源极电极,其在上述半导体层的上方连接到上述源极区域;以及漏极电极,其在上述半导体层的上方连接到上述漏极区域,上述半导体层在与上述漏极电极重叠的部分具有沿着从上述漏极电极引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部,上述半导体层在被上述漏极电极和上述源极电极夹着的上述沟道区域的外侧具有上述半导体层的周缘位于比上述栅极电极的周缘靠内侧的调整部。
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