[发明专利]针对低成本通孔的选择性图案化无效
| 申请号： | 201180023268.1 | 申请日： | 2011-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102884870A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李易明;马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹;顾时群 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H01L21/768;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在金属线(308)的沉积和通孔(306)的蚀刻之前在衬底(302)上沉积阻挡层(304)实现在衬底中使用各向同性蚀刻工艺低成本制造通孔。举例来说，玻璃衬底(302)的湿式蚀刻可用于在由于所述湿式蚀刻引起的底部切割不使所述玻璃衬底(302)上的金属线(308)短路的情况下制造玻璃通孔(306)。所述阻挡层(304)防止作为所述通孔(306)的衬垫的导电层(310)与所述衬底(302)上的一条以上金属线(308)之间的接触。所述制造工艺允许例如玻璃衬底等衬底上的装置的堆叠以及用通孔连接所述装置。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 低成本 选择性 图案 | ||
【主权项】：
一种制造通孔的方法，所述方法包括：在衬底的第一侧上图案化阻挡层；暴露所述阻挡层中的开口；在所述阻挡层上沉积第一导电材料；在所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧上制造所述通孔；以及在所述通孔中沉积第二导电材料以经由所述开口接触所述第一导电材料。
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