[发明专利]透明导电性碳膜的制造方法及透明导电性碳膜

摘要

本发明的目的在于解决作为采用热CVD法形成石墨烯膜的课题的高温工艺及工艺时间长的问题，提供在更低温度下以更短时间形成使用了由石墨烯膜形成的结晶性碳膜的透明导电性碳膜的方法。本发明的方法的特征在于，将基体材料温度设定为500℃以下，将压力设定为50Pa以下，并且在向由含碳气体和惰性气体构成的混合气体中作为添加气体加入了用于抑制基体材料表面氧化的氧化抑制剂的气体气氛中，利用微波表面波等离子体CVD法使透明导电性碳膜堆积在在铜或铝的薄膜的基体材料表面上。

主权项

一种透明导电性碳膜的制造方法，该方法包括：将基体材料温度设定为500℃以下，将压力设定为50Pa以下，并且在向含碳气体或由含碳气体和惰性气体构成的混合气体中作为添加气体加入了用于抑制基体材料表面氧化的氧化抑制剂的气体气氛中，利用微波表面波等离子体法使透明导电性碳膜堆积在所述基体材料表面上。