[发明专利]在塑料底材结构上的碳纳米管(CNT)聚合物基质的选择性蚀刻有效
申请号: | 201180024130.3 | 申请日: | 2011-04-26 |
公开(公告)号: | CN102893421A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | W·斯托库姆;A·梅热尔;I·科勒 | 申请(专利权)人: | 默克专利股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/44 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 邓毅 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及选择性结构化在柔性塑料底材结构上的包含CNT(碳纳米管)的聚合物基质的方法。所述方法还包括合适的蚀刻组合物,其允许在大规模生产中进行该方法。 | ||
搜索关键词: | 塑料 结构 纳米 cnt 聚合物 基质 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】:
用于选择性蚀刻在塑料底材结构上的包含碳纳米管(CNT)的聚合物基质的方法,其包含:a)将基于碱的蚀刻糊剂印刷到包含具有碳纳米管的聚合物基质以及塑料基底的复合材料的表面上,b)加热,并且c)清洁所述基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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