[发明专利]在靶的背面具有沟的磁性材料溅射靶有效

专利信息
申请号: 201180024211.3 申请日: 2011-06-09
公开(公告)号: CN103080369A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 佐藤敦 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石金属株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种磁性材料溅射靶,其为厚度1~10mm的圆板状磁性材料溅射靶,其特征在于,在该靶的背面具有至少一个宽度5~20mm、深度0.1~3.0mm、以该圆板状靶的中心为中心的圆沟,各沟的间隔为10mm以上,并且在所述沟中填入有热导率为20W/m·K以上的非磁性材料。本发明的课题在于,为了消除靶为磁性材料时的缺点,进行使漏磁通密度增大的设计,增大等离子体的扩展,并且提高沉积速度,从而增加溅射效率,并且抑制局部的侵蚀,将靶表面的侵蚀均匀化,提高磁性材料靶的使用效率。
搜索关键词: 背面 具有 磁性材料 溅射
【主权项】:
一种磁性材料溅射靶,其为厚度1~10mm的圆板状磁性材料溅射靶,其特征在于,在该靶的背面具有至少一个宽度5~20mm、深度0.1~3.0mm、以该圆板状靶的中心为中心的圆沟,各沟的间隔为10mm以上,并且在所述沟中填入有热导率为20W/m·K以上的非磁性材料。
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