[发明专利]光电子半导体芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201180024376.0 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102893407A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | W.贝格鲍尔;L.赫佩尔;P.德雷希泽尔;C.克尔佩尔;M.施特拉斯堡;P.罗德 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;卢江 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明一种具有半导体层堆叠（2）和辐射出射面或辐射入射面（3）的光电子半导体芯片（10）。半导体层堆叠（2）具有活性层（2a），其适于生成或者接收电磁辐射。在半导体层堆叠（2）中和/或在辐射出射面或辐射入射面（3）上布置多个纳米结构（4），这些纳米结构至少部分地具有至少一个子结构（41、42）。此外说明一种用于制造这种光电子半导体芯片（10）的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
具有半导体层堆叠（2）和辐射出射面或辐射入射面（3）的光电子半导体芯片（10），其中‑ 半导体层堆叠（2）具有活性层（2a），该活性层适于生成或者接收电磁辐射，并且‑在半导体层堆叠（2）中和/或在辐射出射面或辐射入射面（3）上布置多个纳米结构（4），所述纳米结构至少部分地具有至少一个子结构（41,42）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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