[发明专利]具有增强的电磁辐射探测的器件和相关方法无效
| 申请号： | 201180024671.6 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102947953A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | S·阿里;M·U·普拉里;C·帕尔斯犹勒;J·麦基;X·李 | 申请（专利权）人： | 西奥尼克斯公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供光敏半导体器件和相关方法。一方面，半导体器件可包括半导体基板和与半导体基板连接的半导体层，其中半导体层具有与半导体基板相对的器件表面。器件也包括连接在半导体基板和半导体层之间的至少一个纹理化区域。另一方面，器件进一步包括连接在半导体基板和半导体层之间的至少一个电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 电磁辐射 探测 器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
半导体器件，包括：半导体基板；与所述半导体基板连接的半导体层，所述半导体层具有与所述半导体基板相对的器件表面；和连接在所述半导体基板和所述半导体层之间的至少一个纹理化区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
