[发明专利]生长在松弛层上的III族氮化物发光装置有效
| 申请号： | 201180024730.X | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102884643A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | A.Y.金;P.N.格里洛特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘鹏;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种发光装置包括：第一半导体层（30）；第二半导体层（32）；第三半导体层（34）；以及半导体结构（10），其包括布置在n型区域（34）和p型区域（38）之间的III族氮化物发光层（36）。该第二半导体层（32）布置在该第一半导体层（30）与该第三半导体层（34）之间。该第三半导体层（34）布置在该第二半导体层（32）与该发光层（36）之间。该第一半导体层（30）的面内晶格常数和该第三半导体层（34）的体晶格常数之间的差不大于1%。该第一半导体层（30）的面内晶格常数和该第二半导体层（32）的体晶格常数之间的差是至少1%。该第三半导体层（34）是至少部分松弛的。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 松弛 iii 氮化物 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一半导体层；第二半导体层；第三半导体层；以及半导体结构，其包括布置在n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层；其中所述第二半导体层布置在所述第一半导体层与所述第三半导体层之间；所述第三半导体层布置在所述第二半导体层与所述发光层之间；所述第一半导体层的面内晶格常数与所述第三半导体层的体晶格常数之间的差不大于1%；所述第一半导体层的面内晶格常数与所述第二半导体层的体晶格常数之间的差是至少1%；并且所述第三半导体层是至少部分松弛的。
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