[发明专利]半导体基板上的高Q垂直带状电感器有效
| 申请号： | 201180024880.0 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102906873A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | D·M·史密斯 | 申请（专利权）人： | 哈里公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曹瑾 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体装置的方法及其装置。该半导体装置（100）包括具有相对的第一和第二表面（102a、102b）的半导体基板（102）。该装置还包括设置在所述第一表面上的平坦电感器部件（104）。该平坦电感部件（103）包括沿曲折路径延伸并且限定多个绕组（104）的独立式电导体，其中，该电导体具有宽度和高度，并且其中，高宽（HW）比显著大于1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基板上 垂直 带状 电感器 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该半导体装置包括具有相对的第一表面和第二表面的半导体基板；和设置在所述第一表面上的平坦电感器部件，该平坦电感部件包括：沿曲折路径延伸并且限定多个绕组的独立式电导体，所述电导体具有宽度和高度，其中，高宽（HW）比显著大于1。
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