[发明专利]垂直异质结隧道-FET的制造有效
| 申请号： | 201180024970.X | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102906879A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | I·劳尔;P·M·索罗门;S·J·克斯特;A·马宗达 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/165 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 示范性实施例包括一种用于制造异质结隧道场效应晶体管（FET）的方法，该方法包括在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层上形成栅极区域，在硅层上邻近栅极区域形成漏极区域并且邻近栅极区域形成垂直异质结源极区域，其中垂直异质结源极区域产生符合与栅极区域相关的栅极场的隧道路径。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 异质结 隧道 fet 制造 | ||
【主权项】：
一种用于制造异质结隧道场效应晶体管（FET）的方法，所述方法包括：在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层上形成栅极区域；所述硅层上邻近所述栅极区域形成漏极区域；以及邻近所述栅极区域形成垂直异质结源极区域，其中所述垂直异质结源极区域产生符合与所述栅极区域相关的栅极场的隧道路径。
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