[发明专利]用于沉积的FET沟道的自对准到栅极的外延源极/漏极接触有效
| 申请号： | 201180025494.3 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102906893A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | J·常;P·常;V·纳拉亚南;J·斯莱特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成自对准器件的方法，包括：将纳米碳管(CNT)沉积到晶体介电衬底上；隔离所述晶体介电衬底的包围所述CNT的位置的部分；在维持所述CNT的结构完整性的同时，在所述CNT上形成栅极电介质和栅极电极栅极叠层；以及形成外延源极和漏极区，所述外延源极和漏极区与在所述晶体介电衬底上的所述CNT的从所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层暴露的部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 fet 沟道 对准 栅极 外延 接触 | ||
【主权项】：
一种形成自对准器件的方法，包括：将纳米碳管(CNT)沉积到晶体介电衬底上；隔离所述晶体介电衬底的包围所述CNT的位置的部分；在维持所述CNT的结构完整性的同时，在所述CNT上形成栅极电介质和栅极电极栅极叠层；以及形成外延源极和漏极区，所述外延源极和漏极区与在所述晶体介电衬底上的所述CNT的从所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层暴露的部分接触。
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