[发明专利]氧化物烧结体、由其形成的靶和氧化物半导体薄膜无效
| 申请号： | 201180025647.4 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102918003A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 江端一晃;笘井重和;矢野公规;井上一吉 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 金仙华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物烧结体，其含有铟和铝的氧化物，原子比Al/(Al+In)为0.01～0.08。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 形成 半导体 薄膜 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体，其含有铟和铝的氧化物，原子比Al/(Al+In)为0.01～0.08。
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