[发明专利]功率半导体装置

摘要

提供功率半导体装置(1)，功率半导体装置(1)在发射极侧(11)上的发射电极(2)与集电极侧(15)上的集电极(25)之间具有不同导电类型的层。该装置包括：-第一导电类型的漂移层(6)，-第二导电类型的第一基极层(4)，第一基极层(4)设置在漂移层(6)与发射电极(2)之间，所述第一基极层(4)与发射电极(2)直接电接触，-第一导电类型的第一源区(5)，其设置在发射极侧(11)上嵌入第一基极层(4)中，并且接触发射电极(2)，所述第一源区(5)相比漂移层(6)具有更高的掺杂浓度，-第一栅电极(3)，其与第一基极层(4)、第一源区(5)和漂移层(6)电绝缘，并且所述第一栅电极(3)设置在与第一基极层(4)相同的平面中并且在其侧部，并且比第一基极层(4)更深地延伸到漂移层(6)中。-第二导电类型的第二基极层(45)，其设置在与第一基极层(4)相同的平面中并且在其侧部，-第二栅电极(35)，其设置在发射极侧(11)的顶部，以及–第一导电类型的第二源区(55)，其设置在发射极侧(11)上嵌入第二基极层(45)中，并且延伸到第二栅电极(35)下面的区中，所述第二源区(55)相比漂移层(6)具有更高的掺杂浓度，其中第二栅电极(35)通过第二绝缘层(36)与第二基极层(45)、第二源区(55)和漂移层(6)电绝缘。

主权项

一种具有不同导电类型的层的功率半导体装置(1)，所述层设置在发射极侧(11)上的发射电极(2)与相对所述发射极侧(11)设置的集电极侧(15)上的集电极(25)之间，所述层包括：‑ 第一导电类型的漂移层(6)，其设置在所述发射极侧(11)与所述集电极侧(15)之间，‑ 第二导电类型的第一基极层(4)，其设置在所述漂移层(6)与所述发射电极(2)之间，所述第一基极层(4)与所述发射电极(2)直接电接触，‑ 所述第一导电类型的第一源区(5)，其设置在所述发射极侧(11)嵌入所述第一基极层(4)中并且接触所述发射电极(2)，所述第一源区(5)相比所述漂移层(6)具有更高的掺杂浓度，‑ 第一栅电极(3)，其通过第一绝缘层(31)与所述第一基极层(4)、所述第一源区(5)和所述漂移层(6)电绝缘，并且所述第一栅电极(3)设置在与所述第一基极层(4)相同的平面中并且在其侧部并且比所述第一基极层(4)更深地延伸到所述漂移层(6)中，在所述发射电极(2)、所述第一源区(5)、所述第一基极层(4)和所述漂移层(6)之间可形成沟道，‑ 所述装置还包括所述第二导电类型的第二基极层(45)、所述第一导电类型的第二源区(55)和第二栅电极(35)，其中所述第二栅电极(35)设置在所述发射极侧(11)的顶部，并且所述第二栅电极(35)通过第二绝缘层(36)与所述第二基极层(45)、所述第二源区(55)和所述漂移层(6)电绝缘，所述第二源区(55)设置在所述发射极侧(11)嵌入所述第二基极层(45)中并且延伸到所述第二栅电极(35)下面的区中，所述第二源区(55)相比所述漂移层(6)具有更高的掺杂浓度，其特征在于所述第二基极层(45)设置在与所述第一基极层(4)相同的平面中并且在其侧部，并且在于所述第二源区(55)没有直接连接到所述发射电极(2)，使得不可形成通过其中电荷载流子能够通过所述第二源区(55)、所述第二基极层(45)从所述发射电极(2)直接流到所述漂移层(6)的沟道。