[发明专利]溅射靶和/或线圈及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201180025733.5 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103025914A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 长田健一;牧野修仁 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶和/或线圈，其特征在于，溅射靶和/或为了约束等离子体而配置在等离子体产生区域周围的线圈的待侵蚀表面的氢含量为500μL/cm2以下。致力于靶和/或线圈表面上氢含量的减少，认为该氢吸留的原因在于靶和/或线圈的制造工序、特别是靶和/或线圈的表面的加热条件，本发明提供，通过优化该加热条件，可以减少靶表面的氢吸留，并且可以提高溅射时的真空度，具有均匀微细的组织，等离子体稳定，膜的均匀性优良的溅射靶和/或线圈以及它们的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 线圈 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶和/或线圈，其特征在于，溅射靶和/或为了约束等离子体而配置在等离子体产生区域周围的线圈的待侵蚀表面的氢含量为500μL/cm2以下。
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