[发明专利]半导体装置和在目标基板中形成结构以制造半导体装置的方法

摘要

提供了一种半导体装置和在目标基板中形成结构以制造半导体装置的方法。该方法包括以下步骤：在目标基板（110）上提供掩模层（120），并在掩模层中提供阶梯状轮廓（122），使得阶梯状轮廓的阶梯的高度比掩模层的厚度小。此外，该方法包括以下步骤：同时执行掩模层和目标基板的各向异性刻蚀，使得在目标基板中形成具有阶梯状轮廓（124）的结构。半导体装置包括这样的目标基板，包括由第一类型的半导体材料制成的第一区域和由第二类型的半导体材料制成的第二区域。第一和第二类型的半导体材料是不同的，并且，第一和第二区域是相邻的，以形成半导体装置的有源区域。在第一和第二区域之间的结处，半导体装置包括具有阶梯状轮廓的结构。本发明是有利的，因为其提供了一种具有改进特性的半导体装置。

主权项

一种在目标基板（150）中形成结构以制造双极结晶体管（100）的方法，所述方法包括：在所述目标基板（150）上提供掩模层（120）；在所述掩模层中提供阶梯状轮廓（122），使得所述阶梯状轮廓的阶梯的高度小于所述掩模层的厚度；并且同时执行所述掩模层和所述目标基板的各向异性刻蚀，使得在所述目标基板中形成具有阶梯状轮廓（124）的结构，其中，将所述目标基板中的所述阶梯状轮廓布置在所述双极结晶体管的有源区域中。