[发明专利]用以使由于纠错而引起的老化相关的性能退化最小化的NAND存储器控制器中的动态缓冲管理有效
申请号: | 201180027124.3 | 申请日: | 2011-05-16 |
公开(公告)号: | CN103038829A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | S.阿亚 | 申请(专利权)人: | 格林莱恩特有限责任公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马红梅;李浩 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于非易失性存储器存储数据位和纠错检错(“ECC”)位的输出缓冲电路。该输出缓冲电路包括用于接收所述数据位和所述ECC位以确定是否需要对所述数据位进行纠正的ECC电路。所述ECC电路将所述数据位供应为其输出,并且生成纠正信号。ECC电路接收所述数据位和所述ECC位,并生成已纠正数据位。输出缓冲电路还具有三个或更多个存储电路,其具有输入/输出端口。总线连接到存储电路,并在每个存储电路之间,非易失性存储器与存储电路之间供应数据位,并且供应数据位作为输出缓冲电路的输出。开关电路与用于接收所述数据位的每个存储电路相关联;并且所述存储位被输出到所述存储电路。 | ||
搜索关键词: | 用以 由于 纠错 引起 老化 相关 性能 退化 最小化 nand 存储器 控制器 中的 动态 缓冲 | ||
【主权项】:
一种用于非易失性存储器的输出缓冲电路,所述非易失性存储器用于存储多个数据位和与所述多个数据位相关联的多个纠错检错(“ECC”)位;所述输出缓冲电路包括:检错电路,其用于接收所述多个数据位和所述多个ECC位,以确定是否需要纠正所述多个数据位;所述检错电路用于将所述多个数据位供应为其输出,并用于生成纠正信号;纠错电路,其用于接收所述多个数据位和所述多个ECC位并用于响应于所述纠正信号而生成多个已纠正数据位;三个或更多个存储电路,每个存储电路具有输入/输出端口;总线,其用于连接到每个存储电路并用于在每个存储电路之间和非易失性存储器与所述存储电路之间供应数据位,并且用于将数据位供应为所述输出缓冲电路的输出;以及开关电路,其与每个存储电路相关联以便接收所述多个数据位;或者所述多个已纠正数据位,并将其供应给关联存储电路的所述输入/输出端口并用于将其作为存储位存储在所述存储电路中,并且用于将所述存储位供应为所述存储电路的输出;其中,所述检错电路用于控制每个开关电路的操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格林莱恩特有限责任公司,未经格林莱恩特有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180027124.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。