[发明专利]用于短生命周期物种的具有内建等离子体源的处理腔室盖设计

摘要

本发明的实施例一般涉及用于沉积材料的设备和方法，特别是涉及配置为在等离子体增强工艺期间沉积材料的气相沉积腔室。在一个实施例中，提供用于处理一个或多个基板的腔室。所述腔室主体包括：限定处理空间的腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间中并且配置为支撑一个或多个基板；处理盖组件，所述处理盖组件设置在所述基板支撑件上方，其中所述处理盖组件具有等离子体空腔，所述等离子体空腔配置为生成等离子体并且提供一种或多种自由基物种到所述处理空间；耦接气体分配组件的RF（射频）电源；等离子体形成气体源，所述等离子体形成气体源耦接所述处理盖组件；和反应气体源，所述反应气体源耦接所述处理盖组件。

主权项

一种用于等离子体增强处理一个或多个基板的腔室，所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体限定处理空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间中并且被配置为支撑一个或多个基板；处理盖组件，所述处理盖组件设置在所述基板支撑件上方，其中所述处理盖组件具有等离子体空腔，所述等离子体空腔被配置为生成等离子体并且提供一种或多种自由基物种到所述处理空间；RF（射频）电源，所述RF（射频）电源耦接所述处理盖组件；等离子体形成气体源，所述等离子体形成气体源耦接所述处理盖组件；和反应气体源，所述反应气体源耦接所述处理盖组件。