[发明专利]激光光源有效
申请号: | 201180029449.5 | 申请日: | 2011-04-06 |
公开(公告)号: | CN102934300A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | A.布赖德纳泽尔;A.S.阿夫拉梅斯库;A.莱尔;S.陶茨 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/028 | 分类号: | H01S5/028;H01S5/026;H01S5/10;H01S5/024 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 丁永凡;卢江 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射(10)、具有垂直远场特征(121)的激光光源,具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组(1),在基底(2)上具有有源区(3),其中在运行中至少从射束输出耦合面(4)的主发射区(5)以射束方向(11)发出相干电磁辐射,通过半导体层组(1)的侧面形成射束输出耦合面(4),并且具有过滤元件(13),其在垂直的远场射束轮廓(121)中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面(4)的、与主发射区(5)垂直偏移的且在空间上分离的副发射区(6)发出的相干电磁辐射(12)。 | ||
搜索关键词: | 激光 光源 | ||
【主权项】:
一种用于发出相干电磁辐射(10)、具有垂直远场射束轮廓(121)的激光光源,包含:‑用于产生相干电磁辐射的半导体层组(1),在基底(2)上具有有源区(3),其中在运行中至少从射束输出耦合面(4)的主发射区(5)以射束方向(11)发出相干电磁辐射,通过半导体层组(1)的侧面形成射束输出耦合面(4),‑过滤元件(13),其在垂直的远场射束轮廓(121)中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面(4)的、与主发射区(5)垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区(6)发出的相干电磁辐射(12)。
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