[发明专利]使用稀释漏极的高压晶体管

摘要

可以通过形成带有掩模指状物（116）的漂移区注入掩模（114）来形成一种含有延伸漏极MOS晶体管（100）的集成电路，掩模指状物（116）邻接沟道区（108），并延伸到源极/沟道有源区（112），但不延伸到漏极接触有源区（112）。通过暴露的指状物注入的掺杂剂在掩模指状物下面衬底中形成横向掺杂条纹。在栅极下面的漂移区的平均掺杂密度比在漏极接触有源区处的漂移区的平均掺杂密度低至少25%。在一个实施例中，掺杂剂横向扩散，从而形成连续的漂移区。在另一实施例中，横向掺杂条纹之间的衬底材料保持与横向掺杂条纹相反的导电类型。

主权项

一种集成电路，包含：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；第一延伸漏极金属氧化物半导体（MOS）晶体管，所述第一MOS晶体管包括：第一源极/沟道有源区；第一漏极接触有源区，所述第一漏极接触有源区与所述第一源极/沟道有源区相对布置；在所述第一源极/沟道有源区处所述衬底中的第一体区，所述第一体区具有所述第一导电类型；在所述体区中的第一沟道区，所述第一沟道区布置在所述第一源极/沟道有源区中所述衬底的顶表面；第一栅极介电层，所述第一栅极介电层布置在所述第一沟道区上方在所述衬底上；第一栅极，所述第一栅极布置在所述第一栅极介电层上；第一源极区，所述第一源极区与所述第一栅极相邻且与所述第一漏极接触有源区相对地布置在所述第一源极/沟道有源区中，所述第一源极区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及第一漏极漂移区，所述第一漏极漂移区布置在所述衬底中，以使：所述第一漏极漂移区具有所述第二导电类型；所述第一漏极漂移区从所述第一漏极接触有源区延伸到所述第一源极/沟道有源区；所述第一漏极漂移区邻接所述第一沟道区；以及所述第一漏极漂移区包括第一组多个横向掺杂条纹，所述第一组多个横向掺杂条纹在所述第一源极/沟道有源区中并延伸一部分距离到所述第一漏极接触有源区，所述第一组多个横向掺杂条纹平行于所述衬底的所述顶表面，所述第一组多个横向掺杂条纹具有所述第二导电类型，使得在所述第一源极/沟道有源区处的所述第一漏极漂移区的平均掺杂密度比在所述第一漏极接触有源区处的所述第一漏极漂移区的平均掺杂密度低至少25%。